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存儲(chǔ)板塊首份年報(bào)預(yù)告出爐 約5倍業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)“劇透”行業(yè)高景氣度

發(fā)布時(shí)間:2026-01-15 08:40
證券時(shí)報(bào)記者 劉俊伶 1月14日,A股存儲(chǔ)模組龍頭佰維存儲(chǔ)發(fā)布業(yè)績(jī)預(yù)告,盈利實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng)。公司預(yù)計(jì)2025年度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入100億元至120億元,同比增長(zhǎng)49.36%至79.23%;預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)8.5億元至10億元,同比大幅增長(zhǎng)427.19%至520.22%。 公司表示,從2025年第二季度開始,隨著存儲(chǔ)價(jià)格企穩(wěn)回升,重點(diǎn)項(xiàng)目逐步交付,公司銷售收入和毛利率逐步回升,經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)逐步改善。 價(jià)格持續(xù)上行 2025年以來(lái),全球存儲(chǔ)市場(chǎng)步入一輪強(qiáng)勁的漲價(jià)周期。Wind數(shù)據(jù)顯示,DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)方面,DDR5(16Gb)1月14日?qǐng)?bào)價(jià)34.08美元,較去年年初的4.68美元上漲627.79%;DDR4(16Gb)報(bào)價(jià)75美元,較去年年初的3.19美元漲幅更是達(dá)到2252.57%。NAND Flash(閃存)方面,64G閃存產(chǎn)品最新報(bào)價(jià)7.113美元,較2025年年初上漲超60%。 隨著AI算力需求爆發(fā),存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)迎來(lái)強(qiáng)勁的需求拉動(dòng)。IDC預(yù)測(cè),全球數(shù)據(jù)量將在2025年達(dá)到213.6ZB,預(yù)計(jì)到2029年將增至527.5ZB,年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)25.4%。中國(guó)的數(shù)據(jù)量預(yù)計(jì)將從2025年的51.8ZB激增至2029年的136.1ZB,年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)27.3%。數(shù)據(jù)爆發(fā)式增長(zhǎng)下,存儲(chǔ)器的需求持續(xù)攀升。 同時(shí),因產(chǎn)能向高端型號(hào)傾斜,一般型DRAM、閃存等價(jià)格明顯上漲。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,2026年第一季由于DRAM原廠大規(guī)模轉(zhuǎn)移先進(jìn)制程、新產(chǎn)能至服務(wù)器、HBM應(yīng)用,導(dǎo)致其他市場(chǎng)供給嚴(yán)重緊縮,預(yù)估整體一般型DRAM合約價(jià)將季增55%~60%。NAND Flash則因原廠控管產(chǎn)能和服務(wù)器強(qiáng)勁拉貨排擠其他應(yīng)用,預(yù)計(jì)各類產(chǎn)品合約價(jià)持續(xù)上漲33%~38%。 花旗研究團(tuán)隊(duì)在最新報(bào)告中明確指出,預(yù)計(jì)2026年商品存儲(chǔ)器市場(chǎng)將出現(xiàn)“嚴(yán)重的供應(yīng)短缺”。這種短缺并非暫時(shí)性的供應(yīng)鏈擾動(dòng),而是由結(jié)構(gòu)性數(shù)據(jù)增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)的。花旗將2026年DRAM的平均售價(jià)同比增速預(yù)期從之前的增長(zhǎng)53%大幅上調(diào)至增長(zhǎng)88%。 企業(yè)積極擴(kuò)充產(chǎn)能 面對(duì)持續(xù)的漲價(jià)趨勢(shì),各大存儲(chǔ)廠商紛紛拋出擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,以把握市場(chǎng)機(jī)遇并提升全球市場(chǎng)份額。 A股上市公司中,通富微電已發(fā)布定增預(yù)案,擬募資不超過(guò)44億元,其中8億元用于存儲(chǔ)芯片封測(cè)產(chǎn)能提升項(xiàng)目,建成后年新增存儲(chǔ)芯片封測(cè)產(chǎn)能84.96萬(wàn)片。通富微電表示,實(shí)施本次募集資金投資項(xiàng)目旨在優(yōu)化公司產(chǎn)能水平及結(jié)構(gòu)布局,提升公司持續(xù)創(chuàng)新能力,實(shí)現(xiàn)公司業(yè)務(wù)升級(jí)。 上市公司中,天山電子、長(zhǎng)電科技也公布擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。 此外,近期多家存儲(chǔ)廠商的IPO進(jìn)程值得關(guān)注。1月13日,兆易創(chuàng)新H股上市,凈募資額約為46.11億港元,其中約35%將用于戰(zhàn)略性行業(yè)相關(guān)投資及收購(gòu)。兆易創(chuàng)新在投資者調(diào)研活動(dòng)中表示,公司LPDDR4預(yù)計(jì)在2026年上半年推出產(chǎn)品,并在下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),基于新產(chǎn)線的DDR4產(chǎn)品預(yù)計(jì)在下半年推出樣品。 長(zhǎng)鑫科技已遞交科創(chuàng)板IPO招股說(shuō)明書,公司是我國(guó)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)、布局最全的DRAM研發(fā)設(shè)計(jì)制造一體化企業(yè)。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù),按出貨量統(tǒng)計(jì),公司已成為中國(guó)第一、全球第四的DRAM廠商。根據(jù)招股說(shuō)明書,公司募資主要用于存儲(chǔ)器晶圓制造量產(chǎn)線技術(shù)升級(jí)改造項(xiàng)目、DRAM存儲(chǔ)器技術(shù)升級(jí)項(xiàng)目、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器前瞻技術(shù)研究與開發(fā)項(xiàng)目。 存儲(chǔ)公司業(yè)績(jī)可期 隨著存儲(chǔ)價(jià)格自低位快速反彈,A股相關(guān)上市公司盈利能力明顯提升。 證券時(shí)報(bào)·數(shù)據(jù)寶根據(jù)5家及以上機(jī)構(gòu)一致預(yù)測(cè)數(shù)據(jù),12只存儲(chǔ)器概念股預(yù)計(jì)2025年度實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)或扭虧,其中江波龍、全志科技預(yù)測(cè)凈利潤(rùn)增幅超100%,龍頭股兆易創(chuàng)新、瀾起科技預(yù)測(cè)凈利潤(rùn)增幅在40%以上。 江波龍2025年第三季度業(yè)績(jī)已經(jīng)大幅增長(zhǎng),單季度實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)6.98億元,同比增長(zhǎng)近20倍。截至2025年7月底,公司自研主控芯片全系列產(chǎn)品累計(jì)出貨超8000萬(wàn)顆。國(guó)信證券表示,公司已點(diǎn)亮SOCAMM產(chǎn)品,作為面向新一代AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的低功耗內(nèi)存模塊產(chǎn)品,根據(jù)公司內(nèi)部評(píng)估,SOCAMM相同容量下帶寬比傳統(tǒng)RDIMM高2.5倍以上,降低延遲約20%,尺寸更小,性能有明顯優(yōu)勢(shì)。 瀾起科技在內(nèi)存接口芯片行業(yè)處于領(lǐng)先地位,是全球三大DDR5生產(chǎn)商之一。東吳證券表示,隨著DDR5滲透率持續(xù)提升及AI驅(qū)動(dòng)下PCIe Retimer、MRCD/MDB、CKD等新品持續(xù)放量,同時(shí)公司津逮服務(wù)器平臺(tái)產(chǎn)品線不斷拓展,公司業(yè)績(jī)有望保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。