“一天幾個價”、“暴漲快過黃金”，一場由AI引爆的存儲芯片漲價風暴正在席卷全球。過去半年，全球存儲芯片價格持續(xù)上漲，最近一個月，漲價消息更是越發(fā)密集。
歸因來看，這一輪周期的核心驅動力來自AI服務器——它們以驚人的存儲需求改寫著行業(yè)規(guī)則。然而，繁榮背后暗藏危機：HBM制造工藝復雜，擠占了傳統(tǒng)存儲芯片的產能，導致供需結構性失衡。一邊是AI市場如火如荼，另一邊消費電子領域卻陷入短缺，價格倒掛、現(xiàn)貨市場飆漲等現(xiàn)象頻現(xiàn)。這場由技術變革引發(fā)的產業(yè)鏈震蕩，將如何重塑全球存儲生態(tài)？機遇與挑戰(zhàn)又隱藏于何處？
AI服務器大幅提升需求，結構性失衡特征明顯
與以往的景氣周期不同，此次存儲芯片市場的上行周期，其核心推手并非以往的個人消費電子，而是AI服務器。這背后是AI大模型訓練和推理所帶來的前所未有的存儲需求，改寫了存儲行業(yè)的周期邏輯。
具體來看，AI服務器對存儲芯片的需求呈現(xiàn)“量價齊升”的特點。在數量上，單臺AI服務器的DRAM用量約為傳統(tǒng)服務器的8倍，NAND Flash用量也達到傳統(tǒng)服務器的3倍。更重要的是質的飛躍。AI模型參數高達萬億級別，訓練時需要海量數據并行處理，傳統(tǒng)內存的數據傳輸速度已成為制約算力釋放的瓶頸，即“內存墻”問題。為此而生的高帶寬內存(HBM)通過將多個DRAM芯片垂直堆疊，提供了數倍于傳統(tǒng)內存的傳輸速度，成為英偉達等AI芯片巨頭的標配。
然而，HBM的制造過程復雜且昂貴，其消耗的晶圓產能是標準DRAM的三倍以上，這直接擠占了傳統(tǒng)DRAM的產能，加劇了整體市場的供應緊張。也導致了“一端過熱、一端過冷”的結構性矛盾：AI市場熱火朝天，而消費電子市場卻陷入供應短缺。并且這種供需的結構性錯配，在價格上還引發(fā)了罕見的現(xiàn)象。由于產能被HBM持續(xù)侵蝕，傳統(tǒng)DRAM(如DDR4)的供應日趨緊張，其價格漲幅甚至一度超過了更先進的DDR5，出現(xiàn)了價格倒掛?，F(xiàn)貨市場上，服務器內存條價格飆升至過去的數倍，并最終傳導至消費端，使得固態(tài)硬盤、內存條等產品價格持續(xù)看漲。
這一系列變化也正在重構整個供應鏈的生態(tài)。大型云服務商憑借其規(guī)模優(yōu)勢，提前鎖定了原廠的大部分產能，這使得中小型企業(yè)被迫在現(xiàn)貨市場上爭奪所剩無幾的資源，處境艱難。同時，終端廠商如PC品牌，也開始考慮在未來產品中減少內存配置以控制成本，或尋求其他技術方案來應對這場持續(xù)的供應緊張。
行業(yè)成長性與周期性兼具，2027年或是關鍵節(jié)點
而這種失衡暴露了供應鏈的脆弱性與存儲芯片市場本身的不確定性。即始終在“高成長”與“強周期”中搖擺。
從產品本身看，存儲芯片是難能可貴的科技類大宗商品，有標準化、大市場及強周期的顯著特點，不僅依賴高額資本開支、而且對下游需求非常敏感。回顧存儲芯片的幾輪周期，價格走勢往往大起大落，被業(yè)內戲稱為“要么數錢數到手抽筋，要么虧錢虧到心發(fā)慌”。而這種劇烈波動的根源在于供給和需求在時間上的錯配。建設一座新的晶圓廠動輒需要上百億美元和兩三年時間，一旦市場需求爆發(fā)，供給無法快速響應，導致價格飆升。當各大廠商產能集中釋放時，又極易導致供過于求，價格隨之下跌。
總結起來就是：價格暴漲 → 廠商巨額盈利并瘋狂擴產 → 產能過剩 → 價格暴跌 → 廠商虧損并削減資本開支 → 供需逐漸平衡 → 下一輪漲價開始。資本開支的“時滯效應”與產品的“同質化”，不斷放大這一循環(huán)，使其周期性尤為強大。
在此背景下，尋找行業(yè)供需平衡點尤為重要。摩根士丹利則預測，存儲行業(yè)在AI驅動下開啟“超級周期”，2025年全球存儲收入有望達2000億美元。摩根大通表示，“內存饑渴”趨勢正在推動整個行業(yè)進入結構性增長階段，DRAM市場正迎來一個從2024年持續(xù)至2027年的“前所未有的四年定價上行周期”，預計到2027年，全球存儲市場規(guī)模將達到近3000億美元。
產業(yè)鏈機會在哪里
也正是由于行業(yè)周期性與成長性的雙重特征，為存儲芯片市場帶來了不確定性，但也孕育著新的機遇。摩根士丹利等機構對2027年市場的樂觀預測，不僅反映了AI需求的長期潛力，更暗示了產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的價值重估。
東方財富證券指出從需求側看，隨著大模型持續(xù)推出，對于 DRAM、NAND的需求將大幅提升。供給側看，明年隨著長江存儲新產品和長鑫的 HBM3等最新產品逐漸突破，疊加數據中心對于 SSD 及 HBM 需求快速提升導致供需錯配，激發(fā)了長存及長鑫擴產動能。判斷明年有望是兩存擴產大年，建議重點關注國產存力產業(yè)鏈的整體機會： NAND&DRAM 半導體(長存相關)產業(yè)鏈：中微公司、拓荊科技、安集科技、京儀裝備、中科飛測、芯源微； 長鑫&HBM 存儲芯片產業(yè)鏈：北方華創(chuàng)、兆易創(chuàng)新、精智達、上海新陽、雅克科技、百傲化學、德明利、江波龍、香農芯創(chuàng)。
開源證券則認為從工藝層面而言，存儲擴產將會顯著帶動刻蝕與薄膜設備需求?？涛g設備：北方華創(chuàng)、中微公司；薄膜沉積設備：拓荊科技、北方華創(chuàng)、微導納米、邁為股份等；過程控制設備：中科飛測、精測電子等；后道設備：長川科技、精智達、矽電股份等。
結語：在高成長的同時別忘了強周期
最后縱觀本輪存儲芯片的超級周期，AI無疑扮演了顛覆性的角色。它既推動了HBM等高端技術的快速迭代，也暴露了產業(yè)鏈中供需錯配、資源爭奪等深層次矛盾。從市場格局看，大型云服務商憑借規(guī)模優(yōu)勢搶占產能，中小企業(yè)的生存空間受到擠壓；而從技術演進看，高帶寬、高容量存儲產品正逐步成為算力時代的核心基礎設施。
盡管摩根士丹利等機構預測，到2027年全球存儲市場規(guī)模有望突破3000億美元，但這一增長路徑并非坦途——晶圓廠建設周期長、資本投入巨大，行業(yè)仍將延續(xù)“高成長”與“強周期”并存的特征。對國內產業(yè)鏈而言，長江存儲、長鑫存儲等企業(yè)在HBM和先進存儲領域的突破，或許將成為打破國際壟斷、實現(xiàn)自主可控的關鍵。未來，隨著AI應用場景的持續(xù)深化，存儲芯片的需求結構、技術路線與競爭邏輯還將進一步重構。只有緊跟技術趨勢、優(yōu)化產能布局的企業(yè)，才能在這場存儲變革中占據先機。
